特許
J-GLOBAL ID:200903044485401507

高表面積ナノセルラー材料ならびにその使用方法および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 葛和 清司
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-506735
公開番号(公開出願番号):特表2008-536786
出願日: 2006年04月14日
公開日(公表日): 2008年09月11日
要約:
制御可能な高表面積を有し、かつ、高い伝導性、制御可能な構造および正確に制御可能な孔径を呈する炭素材料の高表面積ナノセルラー材料、ならびにこれらの材料の製造方法および使用を提供する。
請求項(抜粋):
制御可能な高表面積を有し、かつ、高い伝導性ならびに正確に制御可能な孔径および構造を呈する炭素材料を含む、高表面積ナノセルラー材料。
IPC (2件):
C01B 31/02 ,  H01G 9/058
FI (2件):
C01B31/02 101B ,  H01G9/00 301A
Fターム (20件):
4G146AA01 ,  4G146AA16 ,  4G146AB01 ,  4G146AC04B ,  4G146AC05B ,  4G146AC06B ,  4G146AC08B ,  4G146AD23 ,  4G146BA08 ,  4G146BA43 ,  4G146BA46 ,  4G146CA02 ,  4G146CA08 ,  4G146CA10 ,  4G146CA13 ,  5E078AA01 ,  5E078AA03 ,  5E078AB02 ,  5E078BA13 ,  5E078BA30

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