特許
J-GLOBAL ID：200903044486985162
プラズマCVDによる薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027438
公開番号（公開出願番号）：特開平10-219454
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：
【要約】【課題】 メッシュを取り外さずかつフッ酸を用いることなく、これを洗浄できるようにしたプラズマCVDによる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 周囲に配置した磁気コイルによって磁界を印加され、マイクロ波が導入されるとともにアップストリームガスが導入されるようにしたECRプラズマを発生させるためのプラズマ発生室と、ダウンストリームに供給ガスを供給するための導入口と、上記ECRプラズマを通過させるようにしたメッシュとを含むプラズマCVDによる薄膜形成装置において、上記メッシュを加熱し洗浄するための発熱体を設けた。
請求項（抜粋）：
周囲に配置した磁気コイルによって磁界を印加され、マイクロ波が導入されるとともにアップストリームガスが導入されるようにしたECRプラズマを発生させるためのプラズマ発生室と、ダウンストリームに供給ガスを供給するための導入口と、上記ECRプラズマを通過させるようにしたメッシュとを含むプラズマCVDによる薄膜形成装置において、上記メッシュを加熱し洗浄するための発熱体を設けたことを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 J
, C23C 16/30
