コンタクトホールの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189543
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】有機系低誘電率膜を含んでなる積層層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成するにあたり、特に良好な異方性形状を確保することのできる、コンタクトホールの形成方法の提供が望まれている。【解決手段】導電部3上に形成された有機系低誘電率膜5を含んでなる積層層間絶縁膜7をエッチング処理し、導電部3に通じるコンタクトホール10を形成する方法である。積層層間絶縁膜7中における有機系低誘電率膜5のエッチング処理を、エッチンガスとしてSO2 を用いたプラズマエッチングで行う。積層層間絶縁膜7が、無機系絶縁膜4とこの上に形成された有機系低誘電率膜5とを備えている場合、有機系低誘電率膜5のエッチング処理後、無機系絶縁膜4のエッチング処理を、エッチングガスとしてフルオロカーボン系のエッチングガスを用いて行ってもよい。

請求項（抜粋）：

導電部上に形成された有機系低誘電率膜を含んでなる積層層間絶縁膜をエッチング処理し、前記導電部に通じるコンタクトホールを形成するに際して、前記積層層間絶縁膜中における有機系低誘電率膜のエッチング処理を、エッチンガスとしてSO2 を用いたプラズマエッチングで行うことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/90 A

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