特許

J-GLOBAL ID：200903044494182290

ショットキ接合部を用い出力信号電圧を増大させた検出変換器および圧力検出方法

発明者： ドラギャン・エイ・ムラデノビック ,  マーエッシ・シャー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064842
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【課題】 信号処理の前に出力信号の増幅を必要とせず、従来の圧力変換器よりも安価に製造可能な圧力変換器およびその製造方法を提供する。【解決手段】 検出変換器(10,30)およびその製造方法は、半導体基板(14)上に配された導電層(16)を有するショットキ接合部(12)を用いる。この導電層(16)は、通常金属と半導体基板(14)の一部との反応によって形成される。導電層(16)の一例は、金属シリサイド層である。1つの圧力検出手法では、実質的に一定の逆電流(I1)をショットキ接合部(12)に印加する。接合部(12)の逆出力電圧の変化は、接合部(12)自体に印加される圧力変化に比例するので、圧力の検出に用いることができる。この出力電圧変化は従来の圧力変換器で得られるものよりも格段に大きいので、本発明による変換器(10,30)の出力信号は、増幅やその他の調整を実質的に追加することなく用いることができる。

請求項（抜粋）：

検出変換器(10)であって:半導体基板(14);前記半導体基板上に配され、ショットキ接合部(12)を形成し、該ショットキ接合部上の圧力に応答する導電層(16)であって、金属と前記半導体基板の一部との反応によって形成された化合物である前記導電層;および前記導電層に結合された接点(20);から成ることを特徴とする変換器。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 S ,  H01L 29/48 F