特許

J-GLOBAL ID：200903044495305093

多層セラミックパッケージ及び該多層セラミックパッケージにおける外部露出導電体部分のメッキ処理方法

発明者： 山本 利重
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096415
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307407
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【構成】 メッキ処理を必要とするピン19を有する多層セラミックパッケージ10において、ピン19が存在するパッケージ面に対向する面にビアホールによる電解メッキ用引き出し線11が引き出され、対向面のメッキ用引き出し線11を含む部分に研磨により除去可能なメッキ用電極12が形成されている多層セラミックパッケージ10。【効果】 メッキ用電極12を用いて、容易にピン19及びパッドにメッキ処理を施すことができ、メッキ処理終了後は研磨などにより簡単に除去することができるため、メッキ処理を施すための費用が安価になる。またメッキ用引き出し線(ビアホール)11が信号層13、15などにほぼ垂直に引き出されているので、その容量を無視できる程度まで低減することができ、半導体装置として使用する際の誤動作を著しく低減することができる。

請求項（抜粋）：

メッキ処理を必要とする外部接続用端子を有する多層セラミックパッケージにおいて、前記外部接続用端子が存在するパッケージ面に対向する面にビアホールによる電解メッキ用引き出し線が引き出され、前記対向面の前記電解メッキ用引き出し線を含む部分に研磨により除去可能な電解メッキ用電極が形成されていることを特徴とする多層セラミックパッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/50 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 P ,  H01L 27/04 F