特許

J-GLOBAL ID：200903044497834425

半導体光第2高調波発光素子

発明者： 岩田 普
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048198
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 光第2高調波発光素子を形成する。【構成】 水平方向の半導体レーザ構造12を有し、積層した光第2高調波発生領域13を有し、傾斜型反射面10により、発振レーザ光を光第2高調波発生領域13に導く。位相整合条件は、グレーティング5および多層膜構造により満たされる。レーザと一体化し、有効に第2高調波が発生できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された発振光の角周波数がωである水平型の半導体レーザ構造を有し、前記レーザ構造の片端面に第1傾斜型反射面を有し、前記半導体レーザ構造上に積層した2次の非線形光学特性を有する、角周波数2ωの光を透過する半導体材料からなる光第2高調波発生領域を有し、前記第1傾斜型反射面上の前記光第2高調波発生領域に第2傾斜型反射面を有し、前記光第2高調波発生領域に導波路構造またはグレーティング構造を有し、角周波数ω及び2ωの光に対し位相整合しており、前記レーザ構造より放射した角周波数ωの光を前記第1傾斜型反射面および前記第2傾斜型反射面により前記光第2高調波発生領域に導びき、角周波数2ωの光に変換し、外部水平方向に角周波数2ωの光を出射する事を特徴とする発光素子。