特許

J-GLOBAL ID：200903044514996132

バイアス電流供給方法およびその回路

発明者： 小久保 優 ,  山脇 大造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265816
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112614
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 プロセス条件や温度条件が変動しても、被バイアス回路へ供給するバイアス電流を一定に安定化して供給できるバイアス電流供給回路を得る。【解決手段】 被バイアス回路16のgmを模擬する疑似回路である電圧電流変換回路10の相互コンダクタンスgmの値を検出し、その結果が一定になるように帰還用差動増幅回路17の出力により電流I1を制御し、この時の電圧信号を被バイアス回路用のバイアス電流を供給するトランジスタ15ヘ印加するように構成する。【効果】gmの変動を、帰還ループ内の差電流発生回路30と帰還用差動増幅回路17の利得分の1に低減することができる。

請求項（抜粋）：

被バイアス回路に所定のバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給方法において、被バイアス回路と同一の半導体基板上に形成されたトランジスタであって被バイアス回路を構成するトランジスタと相似なダミートランジスタの相互コンダクタンスを検出し、該ダミートランジスタの相互コンダクタンスが常に一定となるように該ダミートランジスタへのバイアス電流を電圧制御し、該ダミートランジスタへのバイアス電流を制御する電圧を被バイアス回路ヘのバイアス電流を供給する回路のバイアス電流制御用信号として供給することを特徴とするバイアス電流供給方法。