特許

J-GLOBAL ID：200903044517796487

記憶装置及びその製造方法

発明者： 平尾 秀司 ,  岡田 英子 ,  矢野 航作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293585
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】 書き換え可能で高密度の不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 絶縁性基板1の上に、第1のアルミニウム配線2が形成されている。シリコン酸化膜3に形成された開口部7内には、タングステン電極4とシリコンを含むアルミニウム合金電極20とからなるユニットセルMc が形成されている。シリコン酸化膜3の上に、第1のアルミニウム配線2と直交する多数の線状の第2のアルミニウム配線6が形成されている。多数の第1,第2のアルミニウム配線2,6の各交点にユニットセルMc が配設され、メモリセルアレイを構成している。ユニットセルMc に大電流を流すと、アルミニウム合金電極5中のシリコンが逆方向に移動して、界面付近にシリコンが析出し、抵抗値が増大する。逆向きの大電流を流すとシリコンが拡散して抵抗値が低下する。この抵抗値の高低を微小電流で検知することにより、データを読みだす。

請求項（抜粋）：

第1の導電性部材と、上記第1の導電性部材と相対向して設けられた第2の導電性部材と、上記第1の導電性部材と上記第2の導電性部材との間に介設され、所定値以上の電流を流したときに生じる原子の移動に起因して抵抗が変化する特性を有し、抵抗の高い状態と抵抗の低い状態とをデータとして保持する機能を有する抵抗変化部材とを備え、上記第1,第2の導電性部材を介して上記抵抗変化部材に上記所定値以上の第1の電流を流すことにより上記データの書き込みが可能に、かつ、上記所定値よりも小さい第2の電流を流すことにより上記データの読みだしが可能に構成されていることを特徴とする記憶装置。