特許

J-GLOBAL ID：200903044523473274

薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置

発明者： 田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108239
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307450
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 基板加熱による基板収縮及び基板のそりを防止し、機械的に制御可能な所望の位置への精密なレーザ照射を可能にすると共に、線幅1μm程度の微細パターンの基板への照射を可能にし、更に、基板の収縮及びそりを抑制しつつ基板を500°C以上に加熱することを可能とする薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置を提供する、【解決手段】 絶縁性ガラス基板101上の半導体シリコン薄膜102をXeClエキシマレーザ103により結晶化する際に、同時又は相前後して基板101に波長が9乃至11μmのCO2レーザ104を照射して基板101と半導体薄膜102との界面近傍の基板101部分を選択的に加熱する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上の薄膜にエキシマレーザを照射して改質する際に、前記エキシマレーザよりも前記薄膜を透過しやすい光を照射して前記基板と前記薄膜との界面近傍の基板部分を選択的に加熱することを特徴とする薄膜の改質方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜半導体装置とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195905   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 特開昭63-080521