特許
J-GLOBAL ID：200903044523483288
不揮発性半導体記憶装置、製造方法及び電荷蓄積方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189918
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 MISトランジスタの構造としてホットエレクトロンを発生しにくく、導通状態の判別動作の繰り返しにより電荷の蓄積を生じにくく、判別電流差を大きく設定でき、電荷蓄積を低電圧・短時間でできる装置を提供すること。【解決手段】 第1導電型半導体基板中に形成される第2導電型拡散層からなるコントロールゲート16aと、コントロールゲート16aと分離した第2導電型拡散層よりなるソース/ドレイン領域15a、15bと、コントールゲート16aと分離した第2導電型拡散層16b及び第1導電型拡散層17からなる電荷注入層と、半導体基板上、かつ少なくともコントロールゲート16aと電荷注入層との上方に絶縁膜を介して形成され、かつソース/ドレイン領域15a、15bとともにMISトランジスタを構成するフローティングゲート14とを有してなる不揮発性半導体記憶装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板中に形成される第2導電型拡散層からなるコントロールゲートと、該コントロールゲートと分離して形成される第2導電型拡散層よりなるソース/ドレイン領域と、前記コントールゲートと分離して形成される第2導電型拡散層及び該第2導電型拡散層に隣接して形成される第1導電型拡散層からなる電荷注入層と、前記半導体基板上であって、かつ少なくとも前記コントロールゲートと電荷注入層との上方に薄膜絶縁膜を介して形成され、かつ前記ソース/ドレイン領域とともにMISトランジスタを構成するフローティングゲートとを有してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (8件)：
H01L 27/115
, G11C 17/00
, G11C 16/04
, H01L 21/8246
, H01L 27/112
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00
, G11C 17/00 621 C
, H01L 27/10 433
, H01L 29/78 371
