特許

J-GLOBAL ID：200903044530443984

表示素子用基板の製造方法

発明者： 岩永 利彦 ,  猪野 益充 ,  貝瀬 喜久夫 ,  浦園 丈展 ,  池田 裕幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078997
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 表示素子用基板に形成される薄膜トランジスタの水素化処理を簡略化及び効率化する。【構成】 表示素子用基板は、多結晶半導体薄膜2を素子領域とする薄膜トランジスタ4と、該薄膜トランジスタ4により駆動される画素電極8と、該薄膜トランジスタ4の配線電極とが集積的に形成されている。かかる表示素子用基板の製造方法において、先ず薄膜トランジスタ4を形成した後、絶縁性及び吸湿性を有する層間膜5を成膜する堆積工程を行なう。次に、層間膜5の上に水素拡散阻止性のキャップ膜6を成膜する被覆工程を行なう。最後に、層間膜5に捕捉された水分を加熱分解して水素を発生させ、且つキャップ膜6と反対側に拡散して多結晶半導体薄膜2に導入する水素化工程を行なう。

請求項（抜粋）：

多結晶半導体薄膜を素子領域とする薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタにより駆動される画素電極と、該薄膜トランジスタの配線電極とが集積的に形成された表示素子用基板の製造方法であって、薄膜トランジスタを形成した後、絶縁性及び吸湿性を有する層間膜を成膜する堆積工程と、該層間膜の上に水素拡散阻止性のキャップ膜を成膜する被覆工程と、該層間膜に捕捉された水分を加熱分解して水素を発生させ、且つ該キャップ膜と反対側に拡散して該多結晶半導体薄膜に導入する水素化工程とを含む事を特徴とする表示素子用基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 N