半導体ウェハの研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：衞藤彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084455
公開番号（公開出願番号）：特開平9-234667
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【目的】半導体ウェハの外周部に生じる面だれを防止し、高平坦度の半導体ウェハを研磨できる半導体ウェハの研磨方法を提供する。【解決手段】研磨ブロック1をセラミックプレート11とバッキングパッド12とテンプレート13とから構成する。バッキングパッド12として研磨クロス2よりその圧縮率が大きいものを使用する。研磨ブロック1に半導体ウェハ3を装着する。半導体ウェハ3を研磨クロス2に押圧して研磨する。

請求項（抜粋）：

セラミックプレートと、バッキングパッドと、テンプレートとからなる研磨ブロックにより半導体ウェハを保持し、研磨クロスに半導体ウェハを押圧して研磨する半導体ウェハの研磨方法において、バッキングパッドの圧縮率を研磨クロスの圧縮率より大きくしたことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/04 E , H01L 21/304 321 M

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