特許
J-GLOBAL ID：200903044531909600
高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313795
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶中の微量汚染に対してもゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶中の不純物に対するゲッタリング能力を付与したシリコン単結晶ウェーハであって、シリコン単結晶ウェーハの裏面に高融点金属膜を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶中の不純物に対するゲッタリング能力を付与したシリコン単結晶ウェーハであって、シリコン単結晶ウェーハの裏面に高融点金属膜を形成したことを特徴とする高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ。
引用特許：
前のページに戻る
