特許
J-GLOBAL ID:200903044535954626

空燃比検出素子及びその製造方法、並びに空燃比検出素子の安定化方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-358854
公開番号(公開出願番号):特開平9-236575
出願日: 1996年12月27日
公開日(公表日): 1997年09月09日
要約:
【要約】【課題】 空燃比検出素子及びその製造方法、並びに空燃比検出素子の安定化方法を提供する。【解決手段】 検出電極を構成する薄膜の表面及び表層に、鉛等の特定の元素等が付着、含有された空燃比検出素子であり、低温においても安定に作動する。また、この空燃比検出素子を、大気雰囲気下、1150〜1250°Cで1時間熱処理し、その後、水素を30〜70体積%含む雰囲気下、700〜800°Cで1時間熱処理し、次いで、実質的に酸素を含まず且つ水素の含有率が1体積%以下の雰囲気下、500〜600°Cで30分間熱処理し、その後、水分を10〜30体積%含む非酸化雰囲気下、200〜300°Cで1時間熱処理して、性能を安定化する。尚、上記の特定の元素等を付着、含有させ、特定の熱処理を施すことにより、特定の構造の検出電極を得る。
請求項(抜粋):
酸素イオン伝導性を有する固体電解質体の一面に検出電極が設けられ、他面に基準電極が設けられてなる空燃比検出素子の、上記検出電極は、金属粒子を含む薄膜により構成され、該薄膜は、連通する多数の貫通孔を備え、その厚さ方向に通気性を有し、上記金属粒子の平均粒径は0.5〜5μmであり、且つ元素周期表のIB族、IIB族、IIIB族、IVB族、VB族及びVIB族の元素から選ばれる少なくとも1種の元素(但し、窒素及び酸素を除く。)又はその元素を含む化合物が、上記薄膜の表面に付着し、又はこの表面から100Å以内の深さの領域の表層のみに含有されていることを特徴とする空燃比検出素子。
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平1-184457

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