特許

J-GLOBAL ID：200903044536385544

イオン打ち込み装置

発明者： 尾高 憲二 ,  渡辺 智司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345473
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151432
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】ウエーハ表面への異物付着を低減し、クリーンなイオン打ち込み装置を得ることにある。【解決手段】イオン注入するウエーハの近傍にノズルを設置し、このノズルから高圧ガスを噴出させ、ウエーハを保持する部材のウエーハに直接接触する部分に照射する装置を具備し、SIMOX装置を用いてウエーハ保持部材に残留する微少異物に起因するウエーハ表面への異物付着を低減し、クリ-ンなSOIウエーハを生産することができる。

請求項（抜粋）：

イオン注入時にウエーハを移動しつつ複数のウエーハに順次打ち込みを行う、SOI(silicon on insulator)製造に用いられる SIMOX(separation byimplanted oxygen)装置であって、ウエーハを保持する部材のウエーハに直接接触する部分に対し、ノズルから高圧ガスを噴出、衝突させる装置を具備してなることを特徴とするイオン打ち込み装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 603 ,  H01L 21/68 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 603 D ,  H01L 21/68 N ,  H01L 27/12 E

Fターム (4件)：

5F031CA02 ,  5F031HA24 ,  5F031MA31 ,  5F031NA15