特許

J-GLOBAL ID：200903044538745564

薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 丹羽 正昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104678
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299338
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜などに用いる絶縁膜を、高温雰囲気中で膜形成することなく、低温での処理で容易に形成可能にする薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 珪酸エチルとエタノールとを水に溶解して調製したゾル溶液5に、シリコン基板1を浸漬し引き上げることにより、シリコン基板1の表面に酸化膜の形成を行なう。このゾル溶液5にシリコン基板1を浸漬し引き上げることを複数回繰り返しおこなうことにより所望の膜厚を得るようにしてもよい。これによって、シリコン基板1上に任意の組成の薄膜の低温形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

珪酸エチルとエタノールとを水に溶解したゾル溶液に、半導体基板を浸漬し引き上げることにより前記半導体基板の表面に酸化膜の薄膜を形成する薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (20件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF42 ,  5F058BF43 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BG27