特許

J-GLOBAL ID：200903044541067305

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： 杉本 康宜 ,  米田 章法 ,  竹谷 元伸 ,  内田 史朗 ,  池田 昌夫
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社 ,  ソニー株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066597
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281432
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】大電流を投入した駆動時においても電極と半導体層との接触抵抗が低く、且つ密着性や機械的強度に極めて優れている窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子は、積層された半導体層上に、第1金属層M1と、少なくとも第1金属層M1と異なる材質からなる第2金属層M2とを備えた多層構成の電極を有し、第1金属層M1は、半導体層Qとオーミック接触する金属材料から成り、第2金属層M2は、電極の最上層であって、キャップ作用を有する金属材料から成り、また第1金属層M1と第2金属層M2は白金族元素からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層された半導体層上に、第1金属層と、少なくとも前記第1金属層と異なる材質からなる第2金属層とを備えた多層構成の電極を有する窒化物半導体素子であって、 前記第1金属層は、半導体層とオーミック接触する金属材料から成り、 前記第2金属層は、前記電極の最上層であって、キャップ作用を有する金属材料から成り、 また前記第1金属層と第2金属層は白金族元素からなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00

FI (4件)：

H01S5/042 612 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L33/00 E

Fターム (39件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE01 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F073CA01 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236743   出願人：株式会社東芝