特許

J-GLOBAL ID：200903044544988266

高粘度シロキサンの分散体を製造する方法

発明者： ジャン・ド・ラ・クロワ・アビマナ ,  スティーヴン・ウェストール
出願人/特許権者： ダウ・コーニング・ソシエテ・アノニム ,  ダウ・コーニング・リミテッド
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058399
公開番号（公開出願番号）：特開平5-178996
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年07月20日
要約：

【要約】【構成】 揮発性シロキサン中、少なくとも2つのケイ素に結合した基-OR(式中、Rは水素原子または炭素原子数6個以下のアルキル基を表す)を有するオルガノポリシロキサンの第1分散体を生成させ、続いて、(A)一般式[X(PX2=N)nPX3]+[MX(v-t+1)Rt]-(式中、Mはポーリングの電気陰性度が1.0〜2.0の元素であり、Rは炭素原子数12個以下のアルキル基であり、Xはハライド原子を表し、nは1〜6であり、vは、Mの原子価または酸化の程度であり、tは0〜(v-1)である)または(B)選択された不均一系触媒のいずれかである触媒と、該第1分散体とを接触させる。【効果】 揮発性シロキサン、とくに環状シロキサン中の高粘度シロキサン分散体を製造する改善された方法が提供される。

請求項（抜粋）：

揮発性シロキサン中、ケイ素に結合した基-OR(式中、Rは水素原子または炭素原子数6個以下のアルキル基を表す)を少なくとも2つ有するオルガノポリシロキサンの第1分散体を生成させ、続いて、(A)一般式[X(PX2=N)nPX3]+[MX(v-t+1)Rt]-のホスホニトリルハライドまたは(B)水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、ホウ酸ナトリウム、りん酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、りん酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウムおよび一般式Q・CO・OZ(式中、Mはポーリングスケールにより1.0〜2.0の電気陰性度をもつ元素であり、Qは、炭素原子数1〜6個をもつアルキル基または炭素原子数2〜5個をもつアルケニル基を表し、Rは、炭素原子数12個以下のアルキル基であり、Xは、ハライド原子を表し、Zは、セシウムまたはルビジウムを表し、nは、1〜6の値を有し、vは、Mの原子価または酸化の程度であり、tは、0〜(v-1)の値を有する)のセシウムおよびルビジウムのカルボキシレートから選ばれた不均一系触媒のいずれかである触媒と、該第1分散体とを接触させることを包含する、揮発性シロキサン中の高粘度シロキサンの分散体を製造する方法。