特許
J-GLOBAL ID：200903044545028916
酸化物セラミックス薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999000167
公開番号（公開出願番号）：WO1999-036353
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月22日
要約：
【要約】本願発明は、膜中酸素量の制御が可能で、酸素欠損の少ない酸化物セラミックス薄膜の形成方法を提供する。このために、本願発明は、非晶質状の薄膜を形成する工程、または前記非晶質状の薄膜を加熱し結晶化させる工程、または該工程の後に設けた熱処理工程において、水分を含む雰囲気下で処理を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
任意の基板上に非晶質状の薄膜を形成する工程および前記任意の基板と非晶質状の薄膜とを加熱し結晶化させる工程を有する酸化物セラミックス薄膜の形成方法において、 非晶質状の薄膜を形成する工程、非晶質状の薄膜を加熱し結晶化させる工程またはこれら工程の後に設けた熱処理工程のいずれか一以上の工程において、水分を含む雰囲気下で処理する工程を含んでいることを特徴とする酸化物セラミックス薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C01B 13/14
, C23C 18/12
, C01G 25/00
, H01L 41/18
, H01L 27/10
