特許

J-GLOBAL ID：200903044545591629

荷電粒子線露光法および露光装置

発明者： 金田 博幸 ,  小林 孝一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136494
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335221
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置等の製造に用いる荷電粒子線露光法および露光装置に関し、ぼかした荷電粒子線によって主パターンを取り囲む補助パターンの露光を行う近接効果補正法をより効率化する。【構成】 現像後に実パターンとして残る主パターン1の露光と、現像後に実パターンとして残らない主パターンを取り囲む補助パターン2の露光によって近接効果を補正する荷電粒子線露光法において、この主パターン1をブロック露光法または可変矩形ビーム露光法を用いて露光し、補助パターン2をブロックパターン化し、ぼかした補助パターン5によって露光する。また、この場合、適数の支持部4を残して閉ループ状に形成された開口3を有するブロックマスクを用い、レンズの焦点を外してビームをぼかして補助露光を行う。

請求項（抜粋）：

現像後に実パターンとして残る主パターンの露光と、現像後に実パターンとしては残らない該主パターンを取り囲む補助パターンの露光によって近接効果を補正する荷電粒子線露光法において、該主パターンをブロック露光法を用いて露光し、該補助パターンをブロックパターン化し、ぼかしたビームによって露光することを特徴とする荷電粒子線露光法。