特許
J-GLOBAL ID：200903044549635752
炭素元素円筒型構造体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359661
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165713
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：
【要約】【課題】 カーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体を、太さ制御性を飛躍的に向上させるとともにカイラリティ変化やねじれを抑制して基材上にCVD法により成長させるのを可能にする炭素元素円筒型構造体製造方法の提供。【解決手段】 基材11の表面に金属イオン13を注入し、続いて当該金属イオン13を触媒とするCVD法により炭素元素円筒型構造体16を成長させるようにする。
請求項（抜粋）：
化学気相成長法で基材上に成長させることにより炭素元素円筒型構造体を製造する方法であって、基材表面に金属イオンを注入し、続いて当該金属イオンを触媒として炭素元素円筒型構造体を成長させることを特徴とする炭素元素円筒型構造体製造方法。
Fターム (4件)：
4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CC06
, 4G046CC08
