特許

J-GLOBAL ID：200903044553544745

薄膜の成長法

発明者： バディム ザエツ ,  安藤 功兒
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-226839
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040700
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 III-V族化合物上にII-VI族化合物薄膜を成長させるときに、III-V族化合物とII-VI族化合物の界面において、III族元素とVI族元素が反応して目的と異なる化合物が生成され、これによる欠陥がII-VI族化合物薄膜の結晶品質を大きく損なっているという問題があった。【解決手段】III-V族化合物1上を、II族元素からなる適当な膜厚のアモルファス薄膜2で覆った後に、試料の温度を上昇させて該アモルファス膜を蒸発させ、該元素の厚みが焼く分子層3になった時点で、II-VI化合物薄膜4を成長させることにより、高品質II-VI族化合物薄膜を成長させることを可能にする。また、反射型高速電子線回折を利用して,最適なアモルファス薄膜の厚みを、成長プロセス中に実時間で知る方法も提供する。

請求項（抜粋）：

物質Bを物質Aの上に積層する場合において、該物質Bを構成する元素の一部bと該物質Aを構成する元素の一部aが反応して、該物質Bとは異なる化合物が生成されることを防ぐ目的で、該物質Aの表面を、該bを含まない元素cからなるアモルファス層で保護した後に、試料の温度を上昇させて該アモルファス膜を蒸発させ、該元素cの厚みが約1分子層になった時点で、物質Bの成長を開始することを特徴とする薄膜成長方法。

Fターム (5件)：

4G077AA03 ,  4G077BE31 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06