特許

J-GLOBAL ID：200903044555908442

向上した無転位性能のための表面処理ルツボ

発明者： リチャード・エル・ハンセン ,  ロバート・ディ・シェリー ,  ラリー・イー・ドラフォール ,  ロバート・エム・マッカッチャン ,  ジョン・ディ・ホールダー ,  レオン・エイ・アレン
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド ,  ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154336
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110590
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 向上した無転位性能を有する表面処理ルツボを提供する。【解決手段】 結晶成長工程の間に、半導体材料を溶融および保持するルツボである。このルツボは、底壁、および該底壁から延在し、半導体材料を保持するための腔を規定する側壁形成物を有するガラス質シリカの本体を有する。この側壁形成物は内表面および外表面を有する。側壁形成物の内表面上の第一失透促進剤が、結晶成長の間に半導体材料がルツボ中で溶融するときに、溶融半導体材料と接触するルツボの内表面に、実質的に失透したシリカの第一層が形成されるように分布される。側壁形成物の外表面上の第二失透促進剤が、結晶成長の間に半導体材料がルツボ中で溶融するときに、ルツボの外表面に、実質的に失透したシリカの第二層が形成されるように分布される。

請求項（抜粋）：

結晶成長工程の間に半導体材料を溶融および保持するルツボであって、底壁および、該底壁から延在し、溶融半導体材料を保持するための腔を規定する側壁形成物を有するガラス質シリカの本体であって、側壁形成物および底壁が各々内表面および外表面を有するガラス質シリカの本体;側壁形成物の内表面または外表面上の第一失透促進剤であって、側壁形成物の内表面または外表面上の第一失透促進剤の分布が、結晶成長工程の間に半導体材料がルツボ中で溶融しているときに、実質的に失透したシリカの第一層が、ルツボの内表面または外表面に形成されるような分布であり、その実質的に失透したシリカの第一層は、側壁形成物の内表面上にある場合には、内表面の均一な溶解を促進することができ、結晶が溶融半導体材料から引き取られるときに結晶シリカ粒子の溶融半導体材料中への放出を減少させることができ、側壁形成物の外表面上にある場合には、ガラス質シリカ本体を強化する第一失透促進剤;を有してなるルツボ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-236723