特許

J-GLOBAL ID：200903044556404138

気相成長装置

発明者： 萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162482
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005525
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 複数の基板上に同時に均一なエピタキシャル膜の形成を可能とし、その生産性の向上を図る。【構成】 気相成長装置の反応室1は、ガス導入ライン2と、ガス流路変更手段である複数のガス導入穴3、導入された反応ガスをガス流の進行方向に断面が拡大するガス拡散部4、反応ガスを分解して結晶基板上に薄膜形成する反応部5、ガス排気ライン6から構成されている。ガス導入穴3はガス流をその進行方向に対して直角な4方向に強制的に曲げるように形成してある。このような構成によって、反応ガスをガス導入ライン2からガス拡散部4に導くときにガスの導入方向を強制的に変えることによって反応管の中央での流速を低下させ手、ガス流速を均一にする。

請求項（抜粋）：

ガス導入ラインと、ガス流の進行方向に断面が拡大するガス拡散部と、反応ガスを分解ののち結晶基板上に薄膜形成する反応部とを少なくとも具備する反応室を有する気相成長装置であって、反応部においてガス流速がガス流の進行方向と直交する面において均一化するようにガス導入ライン端部に近接してガス流路変更手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-349623
  
• 特開平2-291114
  
• 特開平2-291111