特許

J-GLOBAL ID：200903044557574908

化合物半導体ウェハ

発明者： 綿谷 健一
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115484
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297957
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 割れや欠け等の破損を低減することのできる化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 表面がウェハ平坦度指標であるTTV(Total Thicknes Variation)で10μm以下の凸面であり、且つ反りの程度の指標であるWarp(ワープ)及びSori(ソリ)で表される反りが20μm以下となるようにウェハを形成した。

請求項（抜粋）：

表面がウェハ平坦度指標であるTTV(Total Thicknes Variation)で10μm以下の凸面であり、且つ反りの程度の指標であるWarp(ワープ)及びSori(ソリ)で表される反りが20μm以下となるように形成されたことを特徴とする化合物半導体ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/306 M

Fターム (4件)：

5F043AA03 ,  5F043AA04 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-012011   出願人：日立電線株式会社