特許
J-GLOBAL ID：200903044557598009
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000415
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195764
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の形成工程で、付属パターンが剥離することを完全に防止し、半導体装置の製造歩留まりを大幅に向上させる。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜表面に、半導体装置の回路の構成に使用されない構造体が形成され、この構造体は、絶縁膜に設けられたコンタクト孔を通して、この構造体より下層に形成された下層材料例えば半導体基板に接続されている。ここで、このような構造体は、ウェーハの目合わせマーク・パターン、重ね合わせ測定用ノギス、自動重ね合わせ測定用ボックスマークあるいはマスク寸法測定用マーク等の付属パターンである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜表面に、半導体装置の集積回路の構成に使用されない構造体が形成され、前記構造体が、前記絶縁膜に設けられたコンタクト孔を通して、前記構造体より下層に形成された下層材料に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 A
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 621 Z
