特許
J-GLOBAL ID：200903044560130409
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178297
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007392
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【目的】 製造効率が高く、かつ光の取り出し効率も高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 基板のIII族窒化物系化合物半導体層が積層された面の反対の面に50Å〜2000Åの厚さのRhからなる反射層を設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成される半導体層と、前記基板の前記半導体層が形成される面と反対の面に50Å〜2000Åの厚さのRhからなる反射層を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (21件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA18
, 5F041DA43
