特許
J-GLOBAL ID：200903044560136830

Ni粉末の製造装置およびNi粉末の製造方法

発明者：
浅井 剛

浅井 剛 について

, 
高取 英男

高取 英男 について


出願人/特許権者：
東邦チタニウム株式会社

東邦チタニウム株式会社 について


代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162263
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345215
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 コストの上昇を抑えながら、粒径の異なるNi粉末を同時に生成して生産効率を向上させる。【解決手段】 塩化ニッケルガスを発生させる塩化ニッケルガス発生装置1と、この塩化ニッケルガス発生装置1に接続され、該装置1で発生する塩化ニッケルガスが導入されるマニフォールド3と、このマニフォールド3に接続され、マニフォールド3から塩化ニッケルガスが供給される複数の還元炉5とを具備する。各還元炉5の運転条件を変えることにより、粒径の異なる複数種のNi粉末を還元炉5ごとに同時に生成する。
請求項（抜粋）：
塩化ニッケルガスに還元ガスを接触させて気相化学反応を起こさせることによりNi粉末を生成させるNi粉末の製造装置であって、塩化ニッケルガスを発生させる塩化ニッケルガス発生装置と、この塩化ニッケルガス発生装置に接続され、該装置で発生する塩化ニッケルガスが導入されるマニフォールドと、このマニフォールドに接続され、マニフォールドから塩化ニッケルガスが供給される複数の還元炉とを具備することを特徴とするNi粉末の製造装置。
Fターム (6件)：
4K017AA03 ,  4K017BA03 ,  4K017CA01 ,  4K017DA01 ,  4K017EK03 ,  4K017FB05
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM