特許

J-GLOBAL ID：200903044563335419

電子放出素子およびその製造方法

発明者： 奥田 昌宏 ,  三留 正則 ,  浅井 朗 ,  杉岡 秀行 ,  松谷 茂樹 ,  長田 芳幸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065702
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 素子の温度上昇が小さく、電子放出の素子間のバラツキが小さく、電子放出の効率が良好な電子放出素子及びその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性基板上の一対の電極間に導電性膜を有し、該導電性膜に高抵抗状態の亀裂部が少なくとも1箇所以上存在する電子放出素子において、前記導電性膜が種類の異なる物質からなる少なくとも2層以上の積層からなり、かつ亀裂部が少なくとも二種類以上の物質からなる電子放出素子。2層以上積層された導電性膜の仕事関数が絶縁性基板から離れるに従って小さいことが好ましい。絶縁性基板上の一対の電極間に第1の種類の導電性膜を形成し、通電加熱により亀裂部を生ぜしめた後、その上に第2の種類の導電性膜を形成し、通電加熱により亀裂部を生ぜしめる工程を繰り返す電子放出素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上の一対の電極間に導電性膜を有し、該導電性膜に高抵抗状態の亀裂部が少なくとも1箇所以上存在する電子放出素子において、前記導電性膜が種類の異なる物質からなる少なくとも2層以上の積層からなり、かつ亀裂部が少なくとも二種類以上の物質からなることを特徴とする電子放出素子。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02