特許
J-GLOBAL ID:200903044569061558

ECRプラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井内 龍二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-293321
公開番号(公開出願番号):特開平7-147199
出願日: 1993年11月24日
公開日(公表日): 1995年06月06日
要約:
【要約】【構成】 マイクロ波を導入するためのマイクロ波導入部(石英ガラス板33、フランジ46、マイクロ波導入口34)を有し、その内部においてプラズマにより試料Sを処理するための真空容器30と、真空容器30内に前記マイクロ波導入部を介してマイクロ波を導入する手段と、真空容器30内に磁界を形成するための磁界形成手段(励磁コイル37、励磁コイル44及び励磁コイル45)とを備え、真空容器30内においてマイクロ波による電界と磁界とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを発生させ試料Sを処理するECRプラズマ処理装置において、前記磁界形成手段を構成するヨ-ク11が真空容器30のマイクロ波導入部近傍まで延設されているECRプラズマ処理装置。【効果】 ECR面をマイクロ波導入口34に対して平坦あるいは凹形状とすることができ、プラズマ生成室31において均一なプラズマを生成することができる。また、励磁コイル37の消費電力を削減することができる。
請求項(抜粋):
マイクロ波を導入するためのマイクロ波導入部を有し、その内部においてプラズマにより試料を処理するための真空容器と、該真空容器内に前記マイクロ波導入部を介してマイクロ波を導入する手段と、前記真空容器内に磁界を形成するための磁界形成手段とを備え、前記真空容器内においてマイクロ波による電界と磁界とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを発生させ試料を処理するECRプラズマ処理装置において、前記磁界形成手段を構成するヨ-クが前記真空容器のマイクロ波導入部の近傍にまで延設されていることを特徴とするECRプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-063275
  • 特開平4-063275
  • 特開平4-063275
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