C-SiC焼結体およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：楠本高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-081673
公開番号（公開出願番号）：特開2004-339048
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】黒鉛焼結体、C-Cコンポジットに匹敵する、またはそれ以上の耐圧性、耐熱性、硬度、導電性等の物性を有するC-SiC焼結体およびその製造方法を提供しようとする。【解決手段】放電プラズマ焼結法により焼結された、C-SiC焼結体であり、黒鉛素材と同等またはそれ以上の特性を有し、さらに耐熱性、耐圧性はより優れる。また、C-Cコンポジットに匹敵、またはそれ以上の密度、機械的強度を有する。平均粒径10nm〜100nmのSiC粒子と、平均粒径5nm〜500μmの炭素粒子の混合物を得る工程と、所望する形状の焼結型内に混合粉末を充填する工程、および焼結型内に充填された粉末を加圧焼結プロセスにて焼結する工程を含み、焼結条件を焼結温度1600〜2200°Cの範囲内で昇温させ、保持時間0〜2時間とすることにより行う。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

SiCを1重量%〜95重量%、Cを99重量%〜5重量%含み、相対密度70%〜99.5%であり、電気抵抗1×10-6Ω・m〜30×10-4Ω・mである、C-SiC焼結体。

IPC (2件)：

C04B35/52 , C04B35/565

FI (2件)：

C04B35/52 B , C04B35/56 101H

Fターム (39件)：

4G001BA02 , 4G001BA22 , 4G001BA60 , 4G001BA68 , 4G001BB22 , 4G001BB23 , 4G001BB60 , 4G001BB68 , 4G001BC01 , 4G001BC13 , 4G001BC41 , 4G001BC42 , 4G001BC43 , 4G001BD01 , 4G001BD12 , 4G001BD14 , 4G001BD22 , 4G001BE15 , 4G132AA01 , 4G132AA02 , 4G132AA04 , 4G132AA09 , 4G132AA22 , 4G132AA23 , 4G132AA31 , 4G132AA47 , 4G132AA48 , 4G132AA72 , 4G132AA75 , 4G132AB01 , 4G132BA11 , 4G132BA14 , 4G132CA06 , 4G132GA01 , 4G132GA28 , 4G132GA31 , 4G132GA43 , 4G132GA44 , 4G132GA45

引用特許：

出願人引用 (2件)

特公平1-16789号
等方性高強度黒鉛材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-173130 出願人：東海カーボン株式会社

審査官引用 (1件)

特開平2-192412

引用文献：

審査官引用 (1件)

メカニカルアロイング法を用いた板状炭化ケイ素粒子の自己分散によるセラミックスの作製

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