特許

J-GLOBAL ID：200903044573954079

メモリ判定方法

発明者： 福田 宏 ,  松野 庸一 ,  葭本 眞一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083110
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245497
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成でバースト不良を判別することができるメモリ判別方法を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置におけるX又はY方向のいずれか少なくとも1つの方向に対して先頭アドレスを複数アドレス分だけ飛び飛びに設定し、メモリセルがマトリックス配置されてなるアドレス空間を斜め方向にスキャンさせてメモリセルの良否判定を行うフィールドテストを上記飛び飛びの複数アドレスに対応した複数フィールド毎の良否判定を行い、複数の連続したフィールドでの不良が検出されないことをもって大凡良品メモリと判定する。

請求項（抜粋）：

メモリセルがマトリックス配置された半導体記憶装置におけるX又はY方向のいずれか少なくとも1つの方向に対して先頭アドレスを複数アドレス分だけ飛び飛びに設定し、上記メモリセルがマトリックス配置されてなるアドレス空間を斜め方向にスキャンさせてメモリセルの良否判定を行うフィールドテストを上記飛び飛びの複数アドレスに対応した複数フィールド毎の良否判定を行い、複数の連続したフィールドでの不良が検出されないことをもって大凡良品メモリと判定してなることを特徴とするメモリ判定方法。

IPC (2件)：

G11C 29/00 303 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

G11C 29/00 303 A ,  H01L 21/66 W