特許

J-GLOBAL ID：200903044574515940

薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： 福丸 文雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301430
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143741
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】従来のECR法では、膜の成長速度が低く、マイクロ波電力を増大しても安定した成膜ができない。【解決手段】薄膜形成原料ガスを導入した反応室1内に、マイクロ波発振器4からマイクロ波を入射させるとともに、電磁コイル7により電子サイクロトロン共鳴(ECR)が生じるに充分な外部磁界を印加して、反応室1内にECRプラズマを生成させ、プラズマ生成領域A内あるいはその近傍に設置された基体8上に薄膜を堆積させるにあたり、プラズマ生成領域Aを挟む対向位置に1対の電極9を設置し、電極9間に直流電圧を印加することにより、電極間に直流放電プラズマを生成させて成膜を行う。

請求項（抜粋）：

薄膜形成原料ガスを導入した反応室内に、マイクロ波を入射させるとともに、電子サイクロトロン共鳴が生じるに充分な外部磁界を印加して、前記反応室内にプラズマを生成させ、該プラズマ生成領域内あるいはその近傍に設置された基体上に薄膜を堆積させる薄膜形成方法において、前記プラズマ生成領域を挟む対向位置に1対の電極を設置し、該電極間に直流電圧を印加することにより、該電極間に直流放電プラズマを生成させることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C30B 29/04 ,  C30B 29/38 ,  C30B 30/04

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C30B 29/04 W ,  C30B 29/04 C ,  C30B 29/38 A ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 30/04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-089874
  
• 特開昭62-086166
  
• 特開昭62-127472
  
• 特開平3-079771