特許

J-GLOBAL ID：200903044582392130

化学増幅型レジストを用いた微細パターンの形成方法

発明者： 呂 起成 ,  呉 映錫 ,  李 昌桓 ,  成 樂根 ,  劉 智龍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017203
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250415
出願日： 1996年01月04日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いたリソグラフィ-工程で酸中和反応を抑制しうるパタ-ンの形成方法を提供する。【解決手段】 物質層12の形成されている基板10に、前記物質層12とレジストの接着力の向上のための表面処理してから高温ベ-ク工程を施し、結果物上にレジストを塗布する。酸中和反応による発生されるレジストのテ-ル、リフティング、変形及びスポット状の欠陥発生を減少、取り除くことができる。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを用いたパターンの形成方法において、物質層が形成されている基板上に前記物質層とレジストとの接着力の向上のための表面処理を施す段階と、前記表面処理された基板に高温ベーク工程を施す段階と、前記高温ベーク処理された結果物上にレジストを塗布する段階とを具備することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (3件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 502 R