多重量子障壁、半導体レーザチップとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262256
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125261
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】レーザダイオードの活性層とp型クラッド層との間に設けられる多重量子障壁の抵抗を低減する。【構成】多重量子障壁を構成しているバリア層とウェル層のうちバリア層に引っ張り歪みを入れることによって、バリア層のバンド構造15cの価電子帯端とウェル層のバンド構造15bの価電子帯端との差ΔEvが減少する。また、バリア層の引っ張り歪みによって、ホールの有効質量が減少し、ホールの移動度が増加する。【効果】 ΔEvが小さくなることによって、ホールの移動が容易になる。また、ホールの移動度が増加することによってバリア層の抵抗を低減することができる。

請求項（抜粋）：

異なる種類の半導体からなるバリア層とウェル層とを積層した多層へテロ構造を有する多重量子障壁において、少なくとも前記バリア層またはウェル層が歪みを持つことを特徴とする、多重量子障壁。

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