特許
J-GLOBAL ID：200903044592900109
電界放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251614
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【目的】カーボンナノチューブ(CNT)をエミッタとする電界放出素子において、CNTを電界引き出しの方向である基板と垂直な方向に向けて電気的かつ機械的に確実に固定する。【構成】 カソード基板2のカソード導体3の上には絶縁層4がある。その上にはゲート電極5がある。絶縁層4とゲート電極5の開口6内には、カソード導体3があり、その上にはコバルト層7によって多数のCNT8が強固に固着されている。CNT8の少なくとも一部分は、その長手方向をカソード基板2の表面に対して略垂直な方向を向いている。従来の電界放出素子に比べて得られる電流密度が高い。CNT8の固着は機械的・電気的に強固である。CNT8はカソード基板2から剥離しにくく、カソード導体3に対する接触抵抗が低い。
請求項（抜粋）：
カソード基板に形成されたカソード導体にエミッタとしてのカーボンナノチューブが設けられた電界放出素子において、前記カーボンナノチューブが、VIII族元素とIb族元素からなる群から選択された元素を含む層を介して前記カソード導体に固着されていることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
