特許

J-GLOBAL ID：200903044594575469

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小倉 卓 ,  五十嵐 信行 ,  岩本 敏幸 ,  渡辺 啓仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004005997
公開番号（公開出願番号）：WO2004-114390
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2004年12月29日
要約：

本発明によれば、シリコン基板と、このシリコン基板上にシリコン含有絶縁膜を介して設けられた高誘電率金属酸化膜を有するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたシリコン含有ゲート電極と、このゲート電極の側面側に酸化シリコンを構成部材として含むサイドウォールとを有し、このサイドウォールと少なくとも前記ゲート電極の側面との間に窒化シリコン膜が介在するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置が提供される。この半導体装置は、ゲート長が短い微細構造を有しながら、低消費電力でかつ高速動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上にシリコン含有絶縁膜を介して設けられた高誘電率金属酸化膜を有するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたシリコン含有ゲート電極と、 前記ゲート電極の側面側に酸化シリコンを構成部材として含むサイドウォールとを有し、 前記サイドウォールと少なくとも前記ゲート電極の側面との間に窒化シリコン膜が介在するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301G

Fターム (38件)：

5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA21 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH15 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13