特許

J-GLOBAL ID：200903044598910114

露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法

発明者： 森本 修
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112214
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297966
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 露光装置の露光に関する機能をより効率的に使用できるようにする。【解決手段】 先行する基板について位置合せのための精密な第1の計測を行う第1の工程と、後の基板については順次、前記第1計測より簡易な第2の計測を行い、その結果と前記第1計測の結果に基づいて位置合せを行って露光を行う第2の工程とを経て露光を行う際に、第1工程(S003)を、第2工程(S006)を行う露光装置(ステッパST1、ST2)とは別の装置(ウェハオフセット計測装置AL)で行う。

請求項（抜粋）：

先行する基板について位置合せのための精密な第1の計測を行う第1の工程と、後の基板については順次、前記第1計測より簡易な第2の計測を行い、その結果と前記第1計測の結果に基づいて位置合せを行って露光を行う第2の工程とを備えた露光方法において、前記第1工程を、前記第2工程を行う露光装置とは別の装置で行うことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W

Fターム (3件)：

5F046DB05 ,  5F046FC03 ,  5F046FC04