特許
J-GLOBAL ID：200903044600997354
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217223
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチング装置における上部電極の温度上昇を抑えることにより、絶縁膜にホールを形成する際にエッチングストップを起こすことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施すものである。この半導体装置の製造方法は、所定枚数のウエハに加工処理を施す毎に、上記プラズマエッチング装置にクールダウンステップを行なうものである。クールダウンステップは、プラズマエッチング装置内に400sccm以上800sccm以下の流量のArガスを80秒間以上導入し、エッチング装置内の圧力を200mTorr以上300mTorr以下にし、上部電極及び下部電極それぞれに150W以下の高周波電圧を印加する工程である。
請求項（抜粋）：
プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施す半導体装置の製造方法であって、所定枚数のウエハに加工処理を施す毎に、上記プラズマエッチング装置にクールダウンステップを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (14件)：
5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004CA01
, 5F004CA03
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EB01
, 5F004EB03
, 5F004FA08
