特許

J-GLOBAL ID：200903044601640050

ソリッドステートリレー用受光素子

発明者： 谷迫 伸一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042233
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218489
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 耐湿性の向上と、発光素子-光起電力ダイオード間の光結合効率の向上とを両立させる。【構成】 多結晶シリコン支持基板1内に相互に絶縁分離された複数の単結晶島領域3を設け、該島領域内に光起電力ダイオードを形成する。ダイオード4上の酸化膜11により反射防止膜を形成する。ダイオード4を接続するAl配線12上は窒化膜からなる表面保護膜13で覆うが、ダイオード4の受光面には表面保護膜が形成されない。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に複数個の光起電力ダイオードが設けられ該複数個の光起電力ダイオードが金属配線によって接続されているソリッドステートリレー用受光素子において、前記金属配線は前記光起電力ダイオード上に開口を有する表面保護膜によって被覆されていることを特徴とするソリッドステートリレー用受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭52-016270
  
• 特公昭52-041904