特許

J-GLOBAL ID：200903044604838544

絶縁膜形成方法

発明者： 西野 弘剛 ,  有門 経敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284608
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142470
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【構成】 金属或いは半導体11表面の自然酸化膜を除去し、真空中に保持された前記金属或いは半導体11表面の曲率が正である角部12aの先端13aの原子に選択的に、酸素、窒素、水素、炭素、ハロゲンからなる元素の群のうちのいずれかの元素を結合する工程と、この後、前記金属或いは半導体11表面を前記元素の群のうちのいずれかの元素を含むガスに晒し、前記金属或いは半導体11表面の曲率が正である角部12aに前記金属或いは半導体11の構成元素と前記結合した元素との化合物14aを形成する工程と、前記化合物14aを除去する工程と前記金属或いは半導体11表面上に絶縁膜15を形成する工程とを有する。【効果】 金属または半導体表面に絶縁膜を形成する際、素子特性の良好な絶縁膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

金属或いは半導体表面の自然酸化膜を除去し、真空中に保持された前記金属或いは半導体表面の曲率が正である角部の先端原子に選択的に、酸素、窒素、水素、炭素、ハロゲンからなる元素の群のうちのいずれかの元素を結合する工程と、この後、前記金属或いは半導体表面を前記元素の群のうちのいずれかの元素を含むガスに晒し、前記金属或いは半導体表面の曲率が正である角部に、前記金属或いは半導体の構成元素と前記結合した元素との化合物を形成する工程と、前記化合物を除去する工程と、前記金属或いは半導体表面上に絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする絶縁膜形成方法。