特許

J-GLOBAL ID：200903044606026407

半導体量子ドット素子の作製方法

発明者： 向井 剛輝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022130
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体量子ドット素子の作製方法に関し、均一性が高い半導体量子ドットを高個数密度で作製する。【解決手段】 化合物半導体量子ドット9を気相成長する際に、化合物半導体を構成する一方の族の原料2と他方の族の原料3を同時に成長下地半導体1の表面に供給したのち、化合物半導体を構成する一方の族の原料2,6と他方の族の原料3とを別々に交互に供給する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体量子ドットを気相成長する際に、前記化合物半導体を構成する一方の族の原料と他方の族の原料を同時に成長下地半導体の表面に供給したのち、前記化合物半導体を構成する一方の族の原料と他方の族の原料とを別々に交互に供給することを特徴とする半導体量子ドット素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/30

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18

Fターム (12件)：

5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH07 ,  5F103LL03 ,  5F103LL11 ,  5F103LL17 ,  5F103RR01 ,  5F103RR05