特許
J-GLOBAL ID：200903044607831397
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-113581
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は電気絶縁性基板上にある半導体シリコン単結晶膜上に少なくも画素アレイ部の形成されている光弁基板用半導体装置において、十分大きなON/OFF比を持ち、しかも寄生チャネルのない十分低いリーク電流値が得られる画素電極群への選択給電用スイッチングトランジスタを持つ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 画素電極群への選択給電用スイッチングトランジスタは、P型の電界効果型絶縁ゲートトランジスタであることを特徴とする。このP型の電界効果型ゲートトランジスタはLDD構造のトランジスタであると、更にリーク電流値の少ない性質を持つ。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性物質上にある半導体シリコン単結晶膜上に、少なくとも画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群から成る画素アレイ部が形成された光弁基板用半導体装置において、前記スイッチ素子群はP型の絶縁ゲート電界効果型トランジスタであることを特徴とする光弁基板用半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
