特許

J-GLOBAL ID：200903044613765649

半導体装置

発明者： 前澤 宏一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351114
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177402
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 共鳴トンネル負性抵抗素子のリーク電流を少なく、かつ高速動作を可能にし、しかも製造を容易にする。【構成】 共鳴トンネルダイオードD1,D2が2個直列に接続され、その接続点に出力端子Oが設けられ、接地側の共鳴トンネルダイオードD2 にはゲート電極を入力端子Iとする電界効果トランジスタTが並列接続されている。これによっって共鳴トンネルダイオードD1 と共鳴トンネルダイオードD2 との直列体に電源電圧Vbiasが印加されると、流れる電流は両者の和であるため、電界効果トランジスタTのゲート(入力端子I)に印加する電圧Vgによってピーク電流を変化させることができる。このため、リーク電流が少なく、非常に高速な動作が可能である

請求項（抜粋）：

N型負性抵抗特性を有する負性抵抗素子をそのエミッタ電極,コレクタ電極に対して2個直列に接続して直列体を構成し、前記直列体の少なくとも一方の負性抵抗素子に少なくとも1個のトランジスタを並列接続し、前記直列体の両端に印加した電圧をこれらの負性抵抗素子のピーク電圧値を加えた電圧値を挟むように上下に変化させて駆動することを特徴とした半導体装置。