半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036013
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】モニタバーイン試験をより正確に行えるようにする。【解決手段】ダウン信号DWNに応答して基板バイアス電位VBBを低下させる基板バイアス電位生成回路20と、基板バイアス電位VBBが、内部電源電位VIIに依存する所定値になるようにダウン信号DWNを生成するVBB制御回路30と、外部電源電位VDDを低下させて外部電源電位VDDに略依存しない所定の内部電源電位VIIを生成する定電位発生回路40とを有し、外部電源電位VDDを通常動作時よりも高くしてモニタバーイン試験を行っても、基板バイアス電位VBBが一定になる。

請求項（抜粋）：

ダウン信号に応答して基板バイアス電位を低下させる基板バイアス電位生成回路と、外部電源電位を低下させて該外部電源電位に略依存しない内部電源電位を生成する定電位発生回路と、該内部電源電位を受け、該基板バイアス電位を検出して該ダウン信号を生成する第1制御回路と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 27/04 G , H01L 21/66 H

Fターム (12件)：

4M106AA08 , 4M106AC07 , 4M106AC10 , 4M106CA56 , 4M106DJ14 , 5F038AV06 , 5F038BB04 , 5F038BB08 , 5F038BG05 , 5F038BG09 , 5F038DT01 , 5F038EZ20

前のページに戻る