特許
J-GLOBAL ID：200903044636143602
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243690
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 ジャンクションダウンボンディングされた半導体レーザ装置において、LDチップとサブマウントの界面より突出するはんだのウェット性を改善し、突出はんだによるレーザ光のケラレを防止する。【構成】 サブマウント2のダイシング面にもメタライズ14を施した。【効果】 LDチップとサブマウントのダイボンド時にはみ出したはんだは、メタライズされたダイシング面全体へ拡散され突出状態がなくなる。
請求項（抜粋）：
放熱用ブロック上に載置されたサブマウントと、前記サブマウント上に載置されたLDチップとを有する半導体レーザ装置において、上記サブマウントは、上記LDチップとのダイボンド面と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記LDチップの光システムの光源として用いられるレーザ光の発光端面側のダイシング面とにメタライズを施したものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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