特許
J-GLOBAL ID：200903044636298851
半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330030
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 エッチングを伴う洗浄液中であっても、浸漬洗浄中または当該洗浄後の搬出、搬送中にウエハに光が照射されず、光の照射が原因で引き起こされるウエハ表面の欠陥の発生を防止する。【解決手段】 少なくとも片面が鏡面仕上げまたはその面にエピタキシャル層が積層され、鏡面の表面粗さ(マイクロラフネス)がP-V値で10nm以下のシリコン半導体ウエハを、洗浄液が満たされた複数の洗浄槽に順に浸漬し洗浄を行うウエハ洗浄方法において、少なくともシリコン半導体ウエハの浸漬洗浄中及び洗浄槽間の移動中は、被洗浄物に対し光の照射を遮断する。
請求項（抜粋）：
少なくとも片面が鏡面仕上げまたはその面にエピタキシャル層が積層され、鏡面の表面粗さ(マイクロラフネス)がP-V値で10nm以下のシリコン半導体ウエハを、洗浄液が満たされた複数の洗浄槽に順に浸漬し洗浄を行うウエハ洗浄方法において、少なくともシリコン半導体ウエハの浸漬洗浄中及び洗浄槽間の移動中は、被洗浄物に対し光の照射を遮断することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 642
, H01L 21/68
H01L 21/304 642 B
, H01L 21/68 A
