特許

J-GLOBAL ID：200903044637520426

マルチチップモジュールおよびその製造方法

発明者： 山▲崎▼ 松夫 ,  山下 喜市 ,  関根 健治 ,  山田 宏治 ,  加賀谷 修 ,  鈴木 正博 ,  天明 浩之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100456
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294421
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】所要面積が小さく、高周波特性がすぐれ、かつ放熱性能がすぐれたマルチチップモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】アース導体層(2)の上に島状の第1の絶縁膜(4-1)が形成されており、アース導体層(2)の露出された部分上にはベアーチップ(11)、上記第1の絶縁膜(4-1)上には抵抗(5)およびコンデンサ(7)が、それぞれ形成されている。上記アース導体層(2)、抵抗(5)、ベアーチップ(11)およびコンデンサ(7)は、配線パターン(6-1〜4)および導電ブロック(12)などを介して電気的に互いに接続されている。【効果】すぐれた高周波特性が得られるとともに、放熱性が向上して消費電力の大きなベアーチップを使用でき、さらにモジュールを著しく小型化できる。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、当該ベース基板上に形成された所定の機能を有するベアーチップ、抵抗およびコンデンサを少なくとも具備し、上記ベアーチップは上記ベース基板上に形成されたアース導体層の所定部分上にフェイスアップで配置され、上記抵抗およびコンデンサは、上記アース導体層上に形成された島状の第1の絶縁膜上に配置されていることを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18