特許
J-GLOBAL ID：200903044639174967
露光装置及びデバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346679
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179570
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】解像度の向上を図る。【解決手段】露光装置100では、フッ素レーザ1からマスクRのパターン面に照射される、レーザ光の発振線強度のうち、波長が約157.63nmである主発振線の総強度に対する、波長が約157.52nmである副発振線の総強度の比が、0.3%以下に設定されている。このため、この露光装置100で露光を行えば、投影光学系PLの像面に主発振線波長の光束が形成するパターン像の上に、色収差を伴って、すなわちぼけて結像する副発振線波長の光束のぼけ像の強度を、像間のエネルギ平均値の比として、0.3%以下に抑えることができ、全体としての像のぼけを極力(ほぼ最小に)抑えることができる。従って、感光物体W上に形成されるパターンの転写像におけるパターン忠実度の劣化を無視できる程度に抑えることが可能となり、露光装置の解像度の向上を図ることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エネルギビームによりマスクを照明し、該マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感光物体上に転写する露光装置であって、
前記エネルギビームとしてフッ素レーザ光を発振するフッ素レーザを備え、
前記パターン面に照射される、前記フッ素レーザ光の発振線強度のうち、波長が約157.63nmである主発振線の総強度に対する、波長が約157.52nmである副発振線の総強度の比が、0.3%以下となっていることを特徴とする露光装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 515B
, G03F7/20 502
, H01L21/30 517
2H097AA03
, 2H097CA13
, 2H097LA10
, 2H097LA12
, 5F046BA05
, 5F046CA03
, 5F046CB09
, 5F046CB10
, 5F046CB22
, 5F046DA01
