特許
J-GLOBAL ID：200903044639748840

半導体装置の製造方法

発明者：
近藤 誠一

近藤 誠一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-341637
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156518
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【目的】 絶縁膜中にボイドを生じさせないようにすることを目的とする。【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程(S102〜S108)と、前記絶縁膜をフッ素(F)系のガスを用いてエッチングして開口部を形成する開口部形成工程(S110)と、前記開口部形成工程(S110)の後、前記絶縁膜をフッ素除去剤雰囲気に晒すフッ素除去工程(S112)と、前記フッ素除去工程(S112)の後、前記エッチングされた領域に導電性材料を堆積させる堆積工程(S116〜S120)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜をフッ素(F)系のガスを用いてエッチングするエッチング工程と、 前記エッチング工程の後、前記絶縁膜をフッ素除去剤雰囲気に晒す曝露工程と、 前記曝露工程の後、前記エッチングされた領域に導電性材料を堆積させる堆積工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/90 P ,  H01L21/90 V ,  H01L21/302 101B
Fターム (41件)：
5F004AA08 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DB24 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033XX25 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許番号4944836
  • 特開平2-278822号公報
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-018805   出願人：松下電器産業株式会社
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審査官引用 (8件)
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